氮化铝AlN陶瓷薄膜

  氮化铝AIN陶瓷结构和成份主要是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。钧杰陶瓷专业生产氧化铝、氧化钛、氧化锆、碳化硅特种陶瓷件.公司以高起点、高质量为标准、严格的选材和生产工艺的标准化,保证了产品质量的稳定,产品广泛用于纺织、电子、电器、机械、航空、航天等领域.想进一步了解我们的产品，可以直接来我们公司进行更深一步的了解。咨询钧杰陶瓷联系电话：134 128 56568。

化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。

此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
 
性能：AIN陶瓷的性能与制备工艺有关。 如热压烧结AIN陶瓷，其密度为3 .2一3 .3g/cm3，抗弯强度350一400 MPa(高强型900 MPa)，弹性模量310 GPa，热导率20-30W.m(-1).K(-1)，热膨胀系数5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。机械加工性和抗氧化性良好。
 
应用：氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。由于AIN陶瓷具有高导热、高绝缘性，可作为半导体的基体材料，其热阻与氧化被陶瓷相当，比氧化铝陶瓷低很多，可用作散热片、半导体器件的绝缘热基片，提高基片材料散热能力和封装密度，可用于双列直插式封装、扁平封装氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

氮化铝AlN陶瓷一般指高温共烧陶瓷，具有六方纤锌矿结构的共价晶体，导热率高，热  膨胀系数与Si和GaAs匹配。介电常数，介质损耗、介电强度优良，机械性能好，抗折强度高，可以常压在1600°C烧结，是一种高功率集成电路基片的 未来使用材料。
 
氮化铝AlN产品、HTCC高温共烧陶瓷HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝AlN产品都是指产品的烧结化温度达至1,600°C或以上。HTCC高温共烧陶瓷元器件与氮化铝AlN产品因膜厚关系，流延膜的干燥时间必须较长。因此必须使用水平式流延机，配合可调式温度和风量设置。此外，由于烧结温度较高，必须使用钼板作为承烧板及钨浆作为电极材料。工艺技术难度水平要求比一般低温烧结产品为高。高温烧结炉大部份需要还原气氛，所以炉价非常高昂，工序更为繁复，烧结后的产品更加需要推板炉作整平处理。