铝基碳化硅在功率半导体行业发展趋势

随着新能源、电动汽车、轨道交通、智能电网等行业的快速发展，提高了电力电子技术对高温、高压、高频、高功率等方面的要求，催生了以铝基碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料的兴起。钧杰陶瓷拥有先进的生产设备,并且还有一群一流的生产技术管理人员,产品质量现已达到国内先进的水准.钧杰陶瓷专注品质第一,服务至上,求实创新,持续改善公司的经营理念,最大限度地提供令客户满意的产品,真诚的与广大新老客户携手合作,永续经营之道.客户可来样来图订制各类陶瓷工件，陶瓷结构件,欢迎来电咨询钧杰陶瓷联系电话：134 128 56568。

功率半导体器件行业概述
功率半导体器件是一种基础性电子元器件，广泛应用于电力电子行业当中，起到电力设备的电能变换和电路控制的作用，迄今为止已有60年的历史，已逐渐从传统工业制造和4C产业向新能源、电力机车、智能电网等领域发展，拥有完整的生命周期。

概括来看，功率半导体器件目前主要有三大类：功率IC、功率模组、分立功率半导体器件，功率IC是将分立功率半导体器件与驱动、控制等外围电路集成，功率模组是将多个分立功率半导体器件进行模块化封装，也因此，分立功率半导体器件是功率半导体器件中的关键，且重点以功率二极管、MOSFET、IGBT为主。

2017年全球功率半导体器件市场规模达181.5亿美元，其中大陆市场占到40%的份额，年复合增长率维持在3%以上，同时，功率IC、MOSFET、二极管/整流桥、IGBT，分别占到54%、17%、15%、12%的市场份额，除二极管中国大陆发展较好以外，MOSFET与IGBT主要还是集中在国际大厂手中，如英飞凌、安森美、瑞萨、三菱电机、富士电机等等。

概括来看，功率半导体器件目前主要有三大类：功率IC、功率模组、分立功率半导体器件，功率IC是将分立功率半导体器件与驱动、控制等外围电路集成，功率模组是将多个分立功率半导体器件进行模块化封装，也因此，分立功率半导体器件是功率半导体器件中的关键，且重点以功率二极管、MOSFET、IGBT为主。

2017年全球功率半导体器件市场规模达181.5亿美元，其中大陆市场占到40%的份额，年复合增长率维持在3%以上，同时，功率IC、MOSFET、二极管/整流桥、IGBT，分别占到54%、17%、15%、12%的市场份额，除二极管中国大陆发展较好以外，MOSFET与IGBT主要还是集中在国际大厂手中，如英飞凌、安森美、瑞萨、三菱电机、富士电机等等。

为了满足越来越高的指标要求，功率半导体器件不断地进行着技术的演进，除了更改器件结构、缩短线宽制程、加大集成调整，采用更先进的工艺与技术外，功率半导体器件本身材料的改变也成为了一个很重要的发展方向，逐渐从单一的硅材料覆盖到铝基碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料，国际大厂已纷纷加码，如：

2016年，安森美以24亿美元收购仙童公司获得高压SiC SBD技术；

2018年，英飞凌收购一家名为Siltectra的初创公司，将一项”冷切割“的高效晶体材料加工工艺收入囊中，用于铝基碳化硅晶圆的切割；

2019年，Cree剥离照明业务，专注于化合物半导体射频和功率应用市场，以满足5G通信和新能源汽车的市场需求，同年宣布斥资10亿美元，扩大铝基碳化硅产能；

此外，日本昭和电工近两年已三度进行了铝基碳化硅晶圆的扩产，代工厂方面的德国X-Fab、台湾汉磊也都斥资新建铝基碳化硅生产线。

铝基碳化硅行业俨然已成为功率半导体器件行业的新战场。

第三代半导体，由于在物理结构上具有能级禁带宽的特点，又称为宽禁带半导体，主要是以氮化镓和铝基碳化硅为代表，其在半导体性能特征上与第一代的硅、第二代的砷化镓有所区别，使得其能够具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势，从而能够开发出更适应高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的小型化功率半导体器件，可有效突破传统硅基功率半导体器件及其材料的物理极限。

在铝基碳化硅与氮化镓的应用区分方面，铝基碳化硅目前主要是用在650V以上的高压功率器件领域，而氮化镓主要是用在650V以下的中低压功率器件领域及微波射频和光电领域。在铝基碳化硅与氮化镓的应用区分方面，铝基碳化硅目前主要是用在650V以上的高压功率器件领域，而氮化镓主要是用在650V以下的中低压功率器件领域及微波射频和光电领域。